基礎から学ぶパワーデバイス入門 ~MOSFET, SiC, GaN~

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開催済

場所 ウェビナ

 ここ数年、パワーデバイスが目覚ましい勢いで進化していますが、次世代パワーデバイスがどのようなものかを理解できておらず、どのデバイスをどのように使えばよいか分からないというお声を耳にします。
 客先セットでの使用上の注意点がわからず、設計後の問題点などを想定できず失敗するリスクもあります。

 本ウェビナでは、次世代パワーデバイスの基礎(MOSFET, SiC, GaNの違い・構造・特長)を分りやすく説明いたします。ご理解が進むと、設計間違いなどのリスクを減らすことに繋げられます。
 パワーデバイス選定の基本的な考え方や判断ポイントの学びの場としてお役立てください。

概要

項目名 項目
開催日時 2025年9月30日(火)11:00~12:00
※ 講演内容により終了時間が前後することがあります。
受付期間・締切 2025年9月29日(月)17:00
開催形式 ウェビナ
会場 オンライン(Zoom)
主催 株式会社リョーサン
参加費 無料

こんな方におすすめです!

アジェンダ
  1. イントロダクション
  2. MOSFETの基礎
  3. 次世代パワーデバイス:SiCとGaNについて
  4. MOSFET/SiC/GaNの比較と応用分野のすみ分け
  5. まとめとQ&A

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